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存储基础知识:最后一代闪存?QLC与MLC、TLC、SLC - 基础设施

2018-09-24
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【导读】《存储基础知识:最后一代闪存?QLC与MLC、TLC、SLC - 基础设施》,欢迎阅读。

  目前,中国年轻人花在“乐趣”上的钱占总体花费的比例仍不到1/10,而在美国和日本,这个比例都是1/6。

  存储基础知识:最后一代闪存?QLC与MLC、TLC、SLC - 基础设施本报告所有内容受法律保护。国家统计局授予中研普华公司,。

  记者注意到,2014年以来,像天津松江等诸多上市房企曾多次披露定增方案,除了针对具体的募投项目之外,不少还涉及偿还金融机构借款及补充流动资金等。去年底,绿地控股曾抛出了300亿元的定增预案,除了投向地产项目与大金融项目之外,剩余90亿元将用于偿还银行借款。今年5月底,绿地控股主动撤回了该定增预案。年初以来,随着上海、深圳等一线城市房价迎来新一轮暴涨,典型一二线房企销售业绩集体飘红的同时,纷纷加入抢地大战,“地王”频出,迅速蔓延至苏州、南京、杭州、合肥等。有机构统计数据显示,今年上半年全国出现了单宗地价超过10亿元的205宗高价“地王”,二线城市取代一线城市成了“地王”主战场。

  那么,QLC是什么?它对闪存存储市场意味着什么?  顾名思义,QLC允许每个闪存单元存储4个0或者1,这意味着每个单元有16种不同组合,即0000,001,0010,0011,0100,0101,0110,0111,1000,1001,1010,1011,1100,1101,1110和1111。   而单层单元只能存储2个0或1,MLC和TLC只能存储4个或8个,显然,QLC将存储密度提高了2倍,这一点不容置疑。

  但它有一个缺点。 虽然与现有闪存产品相比,QLC可将更多数据封装到更小的区域,但它在写入时更容易耗损。

  事实是,对于QLC,我们正在研究真正无法多次被写入和重写的媒介。   这是因为闪存存储是基于读取不同材料层之间的电压流动,这种实际电压流动的机制可在量子物理层面解释。   总而言之,QLC需要在非常狭小的空间(会受到磨损影响)进行其切换和测量,使得读取电压不太确定。

其实在任何闪存写入,实际上都会消耗写入和重写数据的能力,尤其是对于QLC。

  目前Micron公司还没有提供5210QLC的性能数据,仅提供了与其5200TLCEco驱动器相比的数据比率。   例如,随机读取次数为95000IOPS的倍至1倍,而顺序写入性能将可达520MBps的倍至倍。

  对于随机写入,性能仅为22000IOPS的倍。 这大约是6500IOPS,仍然远远超过旋转磁盘硬盘的水平每个硬盘可能为仅为200IOPS。   不过,IOPS并不是QLC驱动器的致命弱点,它的耐用性才是主要限制因素。   在数据写入预计寿命方面,的耐用性是;5210QLC只能达到倍至倍。

  这就是说,在其生命周期内,你可向该驱动器写入175TB到350TB数据。 这大致相当于大约180次用数据填充和重新填充它。   鉴于其局限性,QLC只会有相当有限的用例。

  这些用例将会与Micron公司描述的类似,即大规模(可能是网络规模)操作,这种操作需要快速读取,且数量远远超过写入量,因此,数据很少可能被重写。

  这种用例确实有市场,而该市场目前正在暂时依靠硬盘驱动器来支持。

  现在的问题是,考虑到QLC的局限性如此明显,是否可将其从NAND闪存家族中移除?或者QLC是作为最后一代闪存?责编:pingxiaoli。

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